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TK11P65W,RQ

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TK11P65W,RQ

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Numero di parte TK11P65W,RQ
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK-0S
Scheda dati
pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche TK11P65W,RQ

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieDTMOSIV
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C11.1A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 450µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds890pF @ 300V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs440 mOhm @ 5.5A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

TK11P65W,RQ Packaging

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Sealing
Packing
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TK11P65W,RQ FAQ

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  • 6. What is the process for return or replacement of TK11P65W,RQ?
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Trans MOSFET N-CH Si 650V 11.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 650V 11.1A 3-Pin DPAK - Tape and Reel (Alt: TK11P65W,RQ)

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MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK

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MOSFET Power MOSFET N-Channel

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 2245
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D# 10AH1272

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X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK-OS PD=100W F=1MHZ ROHS COMPLIANT: YES

RoHS: Compliant
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Container: TAPE & REEL - FULL
 0
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TK11P65W,RQ(S

D# 1332796

 Toshiba America Electronic Components

N-Channel MOSFET, 11.1 A, 650 V, 3-Pin DPAK Toshiba TK11P65W,RQ(S, PK

Min Qty: 5
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 380
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 2016

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 Toshiba America Electronic Components

OEM/CM ONLY

 1954
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D# 30553632

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Trans MOSFET N-CH Si 650V 11.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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 0
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TK11P65W,RQ

 Toshiba America Electronic Components

MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK-0S / Trans MOSFET N-CH Si 650V 11.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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