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TK56E12N1,S1X

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Numero di parte TK56E12N1,S1X
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N CH 120V 56A TO-220
Scheda dati
pacchetto TO-220-3
ECAD
A magazzino 5.248 piece(s)
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Specifiche TK56E12N1,S1X

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieU-MOSVIII-H
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)120V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C56A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs69nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4200pF @ 60V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)168W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs7 mOhm @ 28A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220
Pacchetto / casoTO-220-3

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TK56E12N1,S1X FAQ

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