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TPH11003NL,LQ

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Numero di parte TPH11003NL,LQ
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N CH 30V 32A 8SOP
Scheda dati
pacchetto 8-PowerVDFN
ECAD
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Specifiche TPH11003NL,LQ

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-PowerVDFN
ECAD
SerieU-MOSVIII-H
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C32A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.3V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds660pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.6W (Ta), 21W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs11 mOhm @ 5.5A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP Advance (5x5)
Pacchetto / caso8-PowerVDFN

TPH11003NL,LQ Packaging

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Packing
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TPH11003NL,LQ FAQ

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1986
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