Name: TPH1110ENH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH1110ENH-L1Q
Availability: InStock
Rating: 5 (172 reviews)

TPH1110ENH,L1Q

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Numero di parte	TPH1110ENH,L1Q
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
Scheda dati
pacchetto	8-PowerVDFN
ECAD
A magazzino	5.536 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche TPH1110ENH,L1Q

Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-PowerVDFN
ECAD
Serie	U-MOSVIII-H
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	7.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 100V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.6W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	114 mOhm @ 3.6A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SOP Advance (5x5)
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN

TPH1110ENH,L1Q Packaging

TPH1110ENH,L1Q FAQ

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D# V36:1790_13897265

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Trans MOSFET N-CH Si 200V 13A 8-Pin SOP Advance T/R

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D# TPH1110ENH,L1Q

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Trans MOSFET N-CH 200V 13A 8-Pin SOP - Tape and Reel (Alt: TPH1110ENH,L1Q)

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D# TPH1110ENH,L1Q(M

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Trans MOSFET N-CH 200V 13A 8-Pin SOP (Alt: TPH1110ENH,L1Q(M)

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D# TPH1110ENH,L1Q(M

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Trans MOSFET N-CH 200V 13A 8-Pin SOP (Alt: TPH1110ENH,L1Q(M)

RoHS: Compliant

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D# TPH1110ENHL1QTR-ND

Toshiba America Electronic Components

MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP

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MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR

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Toshiba America Electronic Components

MOSFET UMOSVIII 200V 131m (VGS=10V) SOP-ADV

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