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TPH2R306NH,L1Q

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TPH2R306NH,L1Q

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Numero di parte TPH2R306NH,L1Q
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV
Scheda dati
pacchetto 8-PowerVDFN
ECAD
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Specifiche TPH2R306NH,L1Q

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-PowerVDFN
ECAD
SerieU-MOSVIII-H
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C60A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)6.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs72nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds6100pF @ 30V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.6W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.3 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP Advance (5x5)
Pacchetto / caso8-PowerVDFN

TPH2R306NH,L1Q Packaging

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Sealing
Packing
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TPH2R306NH,L1Q FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that TPH2R306NH,L1Q is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the TPH2R306NH,L1Q. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including TPH2R306NH,L1Q on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of TPH2R306NH,L1Q products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the TPH2R306NH,L1Q price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of TPH2R306NH,L1Q?
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 130A 8-Pin SOP Advance T/R

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Trans MOSFET N 60V 130A 8-Pin SOP - Tape and Reel (Alt: TPH2R306NH,L1Q)

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MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP

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MOSFET U-MOSVIII-H 60V 130A 72nC MOSFET

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