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TPN2R703NL,L1Q

TPN2R703NL,L1Q

TPN2R703NL,L1Q

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Numero di parte TPN2R703NL,L1Q
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON
Scheda dati
pacchetto 8-PowerVDFN
ECAD
A magazzino 94.590 piece(s)
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Specifiche TPN2R703NL,L1Q

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-PowerVDFN
ECAD
SerieU-MOSVIII-H
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C45A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.3V @ 300µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2100pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)700mW (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.7 mOhm @ 22.5A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pacchetto / caso8-PowerVDFN

TPN2R703NL,L1Q Packaging

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Packing
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TPN2R703NL,L1Q FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that TPN2R703NL,L1Q is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the TPN2R703NL,L1Q price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of TPN2R703NL,L1Q?
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Trans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON EP Advance T/R

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Trans MOSFET N-CH 30V 90A 8-Pin TSON - Tape and Reel (Alt: TPN2R703NL,L1Q)

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TPN2R703NL,L1Q(M

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Trans MOSFET N-CH 30V 45A 8-Pin TSON (Alt: TPN2R703NL,L1Q(M)

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 0
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3664
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 110016
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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MOSFET X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V

pbFree: Pb-Free
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MOSFET TRANS POWER MOSFET

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