| Numero di parte | ZXMN10A11GTC |
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| Produttore | Diodes Incorporated |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-261-4, TO-261AA |
| ECAD |
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| A magazzino | 120.012 piece(s) |
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| Produttore | Diodes Incorporated |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-261-4, TO-261AA |
| ECAD |
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| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.7A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.4nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 274pF @ 50V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 2.6A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223 |
| Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
ZXMN10A11GTC |
Diodes Incorporated |
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
ZXMN10A11GTC D# ZXMN10A11GTC-ND |
Diodes Incorporated |
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
ZXMN10A11GTC |
VBsemi Electronics Co Ltd |
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10260 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
ZXMN10A11GTC D# NS-ZXMN10A11GTC |
Diodes/Zetex |
OEM/CM ONLY |
5227 |
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