Name: ZXMN3A06DN8TC
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN3A06DN8TC
Availability: InStock
Rating: 5 (192 reviews)

ZXMN3A06DN8TC

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Numero di parte	ZXMN3A06DN8TC
Produttore	Diodes Incorporated
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
Scheda dati	ZXMN3A06DN8TC Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche ZXMN3A06DN8TC

Produttore	Diodes Incorporated
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	-
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	796pF @ 25V
Potenza - Max	1.8W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SOP

Scheda tecnica ZXMN3A06DN8TC

ZXMN3A06DN8TC Packaging

ZXMN3A06DN8TC FAQ

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We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the ZXMN3A06DN8TC. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including ZXMN3A06DN8TC on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of ZXMN3A06DN8TC products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the ZXMN3A06DN8TC we delivered, we will accept the replacement or return of the ZXMN3A06DN8TC only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of ZXMN3A06DN8TC.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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